赛科工业科技业界首款满血版PD31快充，绿联500W氮化镓充电器拆解

用户投稿 2025年06月22日 09:22:03 86 0

业界首款满血版PD31快充，绿联500W氮化镓充电器拆解

前言

绿联推出了业界首款满血版PD3.1氮化镓充电器X759，这款充电器具备5个USB-C接口和1个USB-A接口，总输出功率达500W。其中USB-C1接口支持240W PD3.1快充，剩余4个USB-C接口支持100W快充，USB-A口也支持快充，满足多个大功率设备同时快充。

绿联500W氮化镓充电器内置有源桥、交错PFC和AHB拓扑，并内置英诺赛科氮化镓芯片，从多个环节降低损耗，提高转换效率，提升消费者的快充体验。下面充电头网就带来绿联500W氮化镓充电器的拆解，一起看看内部的方案和用料。

绿联500W氮化镓充电器开箱

包装盒正面印有UGREEN绿联品牌，产品外观、产品卖点，右下角500W字样使用金色字体。

包装盒背面上方是科技感十足的芯片电路图设计，下方印有产品参数以及注意事项等。

包装盒上参数特写，下面到产品实物展示环节再介绍。

充电器包裹塑料袋保护。

包装内含充电器，电源线和使用说明书。

绿联500W氮化镓充电器采用银色金属漆机身，印有UGREEN品牌和500W字样。

机身另一侧印有UGREEN字样。

机身顶部设有大面积橡胶防滑垫。

输入端外壳印有充电器详细信息和电源输入插座。

充电器参数特写

500W 六口氮化镓桌面快充充电器

型号：X759

输入：100-240V~50/60Hz 7A Max

USB-C1输出：5V3A、9V3A、12V3A、15V3A、20V5A、28V5A、36V5A、48V5A 240W Max

USB-C2/C3/C4/C5输出：5V3A、9V3A、12V3A、15V3A、20V5A 100W Max

USB-A输出：5V3A、9V2A、12V1.5A、10V2.0A 20W Max

额定总输出：500W Max

制造商：深圳市绿联科技股份有限公司

产品通过了CCC认证。

充电器输入端设有品字电源插座。

充电器输出端设有5C1A六个接口。

5个USB-C接口均可用于笔记本电脑和手机快充。

接口旁标注输出功率，USB-C1接口支持240W输出，其余USB-C接口支持100W快充。

USB-A接口采用紫色胶芯。

测得绿联500W氮化镓充电器机身长度约为150mm。

机身高度约为117mm。

机身宽度约为61mm。

实测充电器机身重量约为1610g。

搭配电源线的重量约为1838g。

附带的电源线采用魔术贴收纳。

电源线上设有抗干扰磁环。

测得电源线长度约为2米。

电源线插头印有UGREEN绿联品牌。

测得电源线重量约为227g。

使用ChargerLAB POWER-Z KT003C测得USB-C1口支持UFCS、QC3.0/5、PD3.1、PPS、DCP充电协议。

PDO报文显示USB-C口具备5V3A、9V3A、12V3A、15V3A、20V5A、28V5A、36V5A和48V5A七组固定电压档位，以及5-21V 5A一组PPS电压档位。

另外测得UFCS融合快充具备5-11V 4A和11-21V 3A两组电压档位。

USB-C2接口支持UFCS、QC3+/5、AFC、PD3.0、PPS、DCP、SAM 2A、Apple 2.4A充电协议。

PDO报文显示USB-C2口具备5V3A、9V3A、12V3A、15V3A、20V5A五组固定电压档位，以及5-21V5A一组PPS电压档位。

另外测得UFCS融合快充具备3.4-5.5V 3A、5.5-11V 3A和11-21V 3A三组电压档位。

USB-C3接口支持QC3+/5、FCP、SCP、AFC、SFCP、PD3.0、PPS、DCP、SAM 2A、Apple 2.4A充电协议。

PDO报文显示USB-C3口具备5V3A、9V3A、12V3A、15V3A、20V5A五组固定电压档位，以及5-21V5A一组PPS电压档位。USB-C4和USB-C5接口协议与USB-C3接口完全相同，节省篇幅不再介绍。

USB-A接口支持QC3.0、FCP、SCP、AFC、SFCP、DCP、SAM 2A、Apple 2.4A充电协议。

绿联500W氮化镓充电器拆解

看完了绿联500W氮化镓充电器的外观展示和输出能力测试，下面就进行拆解，一起看看内部的方案和用料。

首先撕下装饰垫，拧下固定螺丝，打开输入端外壳。

连接导线与电源插座焊点打胶绝缘。

充电器内部PCBA模块整体打胶灌封填充，提升耐候性和散热性能，提升长时间大功率运行的稳定性。

拆下卡扣固定的输出端面板，内部隐藏一颗固定螺丝。

从壳体中取出PCBA模块，散热片与PCBA模块之间设有绝缘麦拉片。

充电器PCBA模块整体包裹铝合金散热片，散热片与PCB通过焊接固定。

PCBA模块背面也设有铝合金散热片。

散热片侧面接缝使用铜箔胶带粘贴固定。

充电器输入端焊接安规X2电容和共模电感。

输出端设有一块小板，黄铜散热片焊接固定到小板上。

使用游标卡尺测得PCBA模块长度约为143mm。

PCBA模块宽度约为110.3mm。

PCBA模块厚度约为51mm。

拆解取下PCBA模块外侧的散热片。

散热片内部设有麦拉片绝缘。

PCBA模块整体通过灌封胶填充。

清理掉填充的导热胶，PCBA模块正面一览，左上角为交流输入端，设有保险丝，压敏电阻，安规X2电容和共模电感，左下角设有NTC热敏电阻。右侧设有有源桥整流小板，在有源桥整流小板右侧设有薄膜滤波电容，滤波电感，上方设有PFC升压电感和高压滤波电容。

右侧设有两路AHB变压器，中间位置设有两颗谐振电容和对应的开关管小板，右侧设有同步整流管，滤波电容和滤波电感，最右侧设有降压电路小板用于USB-C接口输出。

PCBA模块背面一览，右上角设有八颗贴片Y电容，右侧中间位置设有交错PFC控制器，PFC开关管和PFC整流管。左侧设有两颗AHB控制器和对应的同步整流控制器，同步整流管，协议芯片和VBUS开关管。

焊接拆下输出端黄铜散热片，磁环电感打胶散热。

焊接拆下有源桥整流小板，氮化镓开关管小板和输出降压小板。通过对PCBA模块的观察发现，绿联500W氮化镓充电器采用有源桥代替传统整流桥，采用交错PFC电路，USB-C1接口采用AHB电路，由协议芯片控制，宽范围电压输出。其余接口也采用一路AHB电路，通过多颗降压芯片实现快充输出和功率自动分配。

PCBA模块侧面一览，设有保险丝，压敏电阻，三级共模电感和两级安规X2电容，右侧还设有NTC热敏电阻，右侧后方设有有源桥整流小板。

保险丝和压敏电阻外套热缩管绝缘。

输入端保险丝规格为10A 250V。

压敏电阻来自南方宏明，型号ZVR14D561KJ，用于吸收过压浪涌。

共模电感采用漆包线和绝缘线绕制。

安规X2电容来自京昊，规格为1μF。

共模电感采用漆包线绕制，底部设有电木板绝缘。

第二颗安规X2电容规格为0.47μF。

共模电感采用漆包线绕制，底部设有电木板绝缘。

热敏电阻来自时恒电子，为MF72系列，规格为3D13，用于抑制上电的浪涌电流。

热敏电阻旁设有两颗温度开关，在工作后升温短接热敏电阻，降低损耗。

有源桥整流小板正面设有有源桥式整流控制器，四颗MOS管和四颗二极管。

小板背面焊接铜块增大散热面积。

有源桥式整流器控制器来自恩智浦，型号TEA2208T，内部集成驱动器，能够驱动四个MOS管，消除传统整流二极管正向压降带来的损耗。芯片集成X电容放电和自供电功能，采用SO14封装。

配合使用的MOS管来自平伟，型号PWE050N65SFTK，采用TOLL-2L封装。

侧面设有薄膜滤波电容，滤波电感，PFC升压电感和开关变压器。

另一侧同样设有PFC升压电感和开关变压器。

两颗薄膜滤波电容规格为1μF450V。

磁环滤波电感特写。

PFC控制器来自恩智浦，型号TEA2376DT，是一颗数字可配置交错式PFC控制器，芯片采用DCM或QR模式，支持切相和突发模式运行功能，具备高PF和低THD特性，采用SO14封装。

PFC开关管来自英诺赛科，丝印65TA080，型号INN650TA080BS，为耐压650V的增强型氮化镓开关管，瞬态耐压800V，导阻80mΩ，具备开尔文源极，符合AEC-Q101认证，采用TOLL封装。

英诺赛科氮化镓开关管为增强型常关器件，具有极低的栅极电荷和输出电荷，内置ESD保护，符合RoHS、无铅、欧盟REACH法规。适用于图腾柱PFC，快充电源，高功率密度以及高能效开关电源应用。

英诺赛科 INN650TA080BS 资料信息。

充电头网通过拆解了解到，英诺赛科氮化镓芯片目前已被三星，OPPO，VIVO，联想，雅迪，LG，华硕，安克，努比亚，倍思，绿联，闪极等多家知名品牌和厂商所采用，出货量突破14亿颗。

搭配使用的碳化硅二极管来自森国科，型号KS10065N，规格为650V 10A，采用PDFN8*8封装。

另一路氮化镓开关管同样采用英诺赛科INN650TA080BS。

另一路碳化硅二极管同样采用森国科KS10065N。

两颗22mΩ电阻并联，用于检测PFC开关管电流。

PFC升压电感采用PQ32磁芯绕制。

另一颗PFC升压电感相同。

高压滤波电容来自艾华，为WH系列105℃工作温度电解电容。

电容规格为420V180μF。

另一颗滤波电容规格相同。

AHB控制器来自立锜科技，型号RT7795，芯片内置625V高压启动器件，输出功率可达300W，支持5-48V输出电压，内置X电容放电，采用连续谐振工作模式。RT7795支持130KHz、180KHz、240KHz和300KHz工作频率。芯片内部集成高侧驱动器，能够直接驱动GaN或MOS，采用WQFN-24L封装。

另一路AHB控制器型号相同。

为主控芯片供电的稳压芯片来自立锜科技，丝印4X=，型号RT9072B，支持80V输入电压和60V输出电压，输出电流为20mA，采用SOT23-5封装。

为主控芯片供电的滤波电容规格为22μF100V。

另一颗滤波电容规格为47μF50V。

AHB半桥的氮化镓开关管焊接在垂直小板上，共四颗开关管对应两路输出。

小板背面没有元件。

氮化镓开关管来自英诺赛科，丝印70D140C，型号INN700D140C，为耐压700V的增强型氮化镓开关管，瞬态耐压800V，导阻140mΩ，具备开尔文源极，采用DFN8*8封装。

英诺赛科氮化镓开关管具有极低的栅极电荷和输出电荷，符合JEDEC标准的工业应用要求，内置ESD保护，符合RoHS、无铅、欧盟REACH法规。适用于图腾柱PFC，快充电源，高功率密度以及高能效开关电源应用。

英诺赛科 INN700D140C 资料信息。

用于PD3.1单路输出的谐振电容规格为0.68μF450V。

用于PD3.0多路输出的谐振电容规格为0.33μF450V，两颗谐振电容均来自厦门法拉。

变压器磁芯粘贴热敏电阻检测温度。

另一颗变压器同样粘贴热敏电阻。

贴片Y电容来自四川特锐祥科技股份有限公司，具有体积小、重量轻等特色，非常适合应用于氮化镓快充这类高密度电源产品中。料号为TAY2471ME。

两颗贴片Y电容料号相同。

交流输入端设有八颗贴片Y电容，产品料号相同。

在PCB正面也设有四颗料号相同的特锐祥贴片Y电容。

亿光EL1018光耦用于PD3.1单路输出电压反馈。

另一颗光耦用于PD3.0多路输出电压反馈。

同步整流控制器来自立锜科技，型号RT7220E，是一款用于非对称半桥架构的同步整流控制器，支持CRM、CSM和BM工作模式，芯片支持5-48V宽输出电压范围，并支持双脉冲模式优化效率，采用SOP-8封装。

同步整流管来自英飞凌，丝印074N15N，型号BSC074N15NS5，NMOS，耐压150V，导阻7.4mΩ，采用TSON-8-3封装。

输出滤波电容来自柏瑞凯，为RT系列高纹波电流固态电容，规格为220μF63V，三颗并联。

输出滤波电感采用漆包线绕制。

协议芯片采用立锜科技RT7209，芯片内部集成反馈补偿电路和5V稳压器，支持3-55V输出电压范围，适合PD3.1 SPR和EPR 48V应用。芯片支持PD3.0/PD3.1SRP和EPR，支持UFCS和私有快充协议，具备自适应输出过压和欠压保护，支持多种可编程的保护功能，采用WQFN-28L封装。

输出VBUS开关管来自平伟，型号PW029N06ESL，NMOS，耐压60V，导阻2.23mΩ，采用DFN5*6封装。

另一路同步整流控制器同样采用立锜科技RT7220E。

同步整流管丝印PW4210，采用三颗并联。

输出滤波电容规格为1000μF25V，三颗并联。

输出滤波电感采用漆包线绕制。

输出端降压小板特写，上方焊接滤波电容，降压电感，中间设有USB-C，USB-A母座，同步降压开关管和滤波电容。

降压小板背面焊接四路USB-C口降压协议芯片和对应的VBUS开关管，以及一路对应USB-A口的降压芯片。USB-C和USB-A母座均为过孔焊接固定，牢固耐用。

USB-C2降压协议芯片来自智融，型号SW3561，这是一颗支持双USB-C口输出的降压SoC芯片，芯片内部集成高效率同步降压控制器，支持20V5A功率输出，并支持USB PD3.1 SPR。芯片内部集成ARM Cortex-M0内核，集成Type-C逻辑，支持PD3.1/QC/SCP/UFCS融合快充等快充协议，支持快充协议定制。

智融SW3561支持双USB-C口通路控制，支持线损补偿，搭配两颗同步降压开关管和对应接口的VBUS开关管即可实现双口降压输出。芯片内置的降压转换器默认工作频率为180KHz，支持定制工作频率，支持100W功率输出，满足小体积设计。芯片集成过热保护，输入输出过压/欠压保护，输出过流保护以及数据引脚过压保护等完善的保护机制，采用QFN32封装。

智融科技 SW3561 资料信息。

充电器USB-C3，C4，C5接口使用智融SW3536芯片降压输出。SW3536是一款高集成度的多快充协议双口充电芯片，支持USB-A+USB-C双口快充输出，支持双口独立限流。内部集成了7A高效率同步降压变换器，支持PPS/PD/QC/AFC/FCP/SCP/PE/SFCP/TFCP等多种快充协议，最大支持140W输出功率。

SW3536集成CC/CV模式，双口管理逻辑以及双芯片动态功率分配，外围元件精简，是一颗完整的高性能多快充协议双口充电解决方案。SW3536支持36V输入电压，满足12-24V输入车充应用，适用于快充适配器，插排以及车充应用。

USB-C4接口使用智融SW3536降压协议芯片。

USB-C5接口使用智融SW3536降压协议芯片。

输入滤波电容来自柏瑞凯，为RN系列小尺寸固态电容，规格为220μF25V。

对应四个USB-C接口使用的同步降压开关管来自智融科技，型号SWT40N45，耐压45V，导阻6.8mΩ，采用PDFN3030封装。

四颗磁环电感对应四路USB-C接口，外套热缩管绝缘。

输出滤波电容来自柏瑞凯，规格为220μF25V。

VBUS开关管也采用智融科技SWT40N45。

用于USB-A接口的降压芯片使用智融科技SW3526，芯片内部集成3.5A高效率同步整流降压转换器，支持PPS、PD、QC、AFC、FCP、SCP、PE、SFCP、低压直充等充电协议，支持CC/CV模式，外部仅需少量器件，即可组成完整的高性能多快充协议充电解决方案。

得益于芯片的高集成度，SW3526将传统降压方案中协议芯片，同步降压控制器和降压MOS管全部浓缩集成在一个封装内部，极大的简化了多口快充的电路设计。

智融 SW3526 详细规格资料。

输入滤波电容规格为220μF25V。

降压电感外套热缩管绝缘。

输出滤波电容规格为220μF25V。

稳压芯片来自微盟，型号ME6203A50，支持30V输入电压，输出电压为5V，输出电流为100mA，采用SOT-89封装。

用于检测充电器角度的传感器特写。

全部拆解一览，来张全家福。

充电头网拆解总结

最后附上绿联500W氮化镓充电器的核心器件清单，方便大家查阅。

绿联这款氮化镓充电器具备500W总输出功率，USB-C1接口支持PD3.1 240W快充输出，剩余快充接口支持100W快充，为业界首款满血版PD3.1充电器产品，能够同时为5台笔记本电脑快充，满足快节奏下多设备快充需求，

充电头网通过拆解了解到，绿联500W氮化镓充电器采用有源桥式整流，使用恩智浦TEA2208T控制器搭配平伟整流管，消除传统整流桥带来的损耗。交错PFC使用恩智浦TEA2376DT控制器搭配英诺赛科INN650TA080BS氮化镓开关管和森国科KS10065N碳化硅二极管。

两路AHB电路使用立锜科技RT7795控制器，搭配使用RT7220E同步整流控制器。其中一路为240W PD3.1输出，使用英飞凌BSC074N15NS5同步整流管，协议芯片采用RT7209。另一路为多路降压输出，使用智融科技SW3561搭配SW3536用于USB-C接口输出，USB-A接口采用SW3526同步降压芯片。

绿联500W氮化镓充电器内部采用多块PCB组合焊接，提升空间利用率，减小体积。PCBA模块采用导热胶灌封，提升散热性能和耐候性。对应发热元件采用小板垂直焊接，降压电感设有散热片，并打胶导热。充电器内部还设有多个NTC温度传感器，用于过热检测，并具备完善的保护功能，全方位确保用电安全。

英诺赛科首创双向氮化镓VGaN，精准赋能多维度应用市场

前言

低压GaN器件相较于硅MOS具备禁带宽度更大、电子迁移率更高、开关速度更快等诸多优势，可有效降低开关损耗，因而在高频应用中表现出色。因此，在电源系统中采用GaN器件能够提高系统效率与功率密度，同时还能减小系统体积、降低整机重量。凭借这些优势，低压GaN器件目前在消费电子充电系统、AI数据中心IBC 、新能源和工业DC/DC电源，BLCD电机驱动等诸多场景中，都得到了广泛的应用。

而英诺赛科早于2022年，开创性地推出了中低压双向氮化镓VGaN产品。该产品仅凭单颗器件便可实现以往两颗MOS才能完成的功能，大幅降低了占板空间以及寄生参数，并且有效削减了系统成本。首批推出的40V VGaN 产品INN040W048A已经成功导入多家知名手机品牌的主板设计，从而得以实现高功率快充。

近期，英诺赛科VGaN家族不断拓展壮大，其产品已经覆盖了30-120V平台，现共拥有9款产品，覆盖手机不同功率的快充需求，并扩展到电池化成电源电池侧防反，电池包BMS系统等多场景应用需求。

英诺赛科VGaN家族

目前英诺赛科9款VGaN产品核心参数如上表所示，详细规格书以及描述请见下文。

英诺赛科INV030FQ012A

英诺赛科INV030FQ012A是一颗耐压30V的双向硅基增强型氮化镓器件，采用FCQFN 6×6mm封装。该器件具备双向导通能力以及1.2mΩ超低导阻，适合在高压侧负载开关、OVP保护、供电系统开关电源等多场景应用。

英诺赛科INN040FQ012A

英诺赛科INN040FQ012A耐压40V，导阻1.2mΩ，采用FCQFN 6×4mm封装，同样为双向硅基增强型氮化镓器件，具备双向导通能力，导阻更低。适合高压侧负载开关、USB接口的OVP保护、供电系统开关电源等多场景应用。

英诺赛科INN040W048A

英诺赛科INN040W048A是一颗采用WLCSP 2.1×2.1封装的双向增强型硅基氮化镓，耐压40V，导阻4.8mΩ，具备双向导通能力，导阻超低。适合在高压侧负载开关、智能手机USB接口OVP保护、供电系统的开关电源等场景应用。此外，INN040W048A也是业界首款导入手机内部设计的GaN，仅用1颗VGaN就能代替两颗硅MOS，有效提升手机快充效率，降低PCB板占板空间。

英诺赛科INN040W080A

英诺赛科INN040W080A同样是一颗双向硅基增强型氮化镓器件，采用WLCSP 1.7×1.7mm封装，耐压40V，导阻8mΩ。该器件具备双向导通能力，导阻超低。适合高压侧负载开关、智能手机USB接口OVP保护、供电系统的开关电源等场景应用。

英诺赛科INN040W120A

英诺赛科INN040FQ012A耐压40V，导阻12mΩ，采用WLCSP 1.2×1.7 mm封装，同样为双向硅基增强型氮化镓器件，具备双向导通能力，导阻更低。适合高压侧负载开关、智能手机USB接口的OVP保护、供电系统开关电源等多场景应用。

英诺赛科INV100EQ030C

英诺赛科INV100EQ030C是一颗双向硅基增强型氮化镓器件，采用En-FCQFN 4×6mm封装，双面散热，耐压100V，导阻3.2mΩ。该器件具备双向导通以及超低导阻特性。适合BMS电池保护系统、双向转换器中的高侧负载开关、供电系统的开关电源等场景应用。

英诺赛科INV100FQ030A

英诺赛科INV100EQ030C是一颗采用FCQFN 4×6mm封装的双向硅基增强型氮化镓器件，耐压100V，导阻3.2mΩ。该器件具备双向导通以及超低导阻特性。适合BMS电池保护系统、双向转换器中的高侧负载开关、供电系统的开关电源等场景应用。

英诺赛科INV100FQ030C

英诺赛科INV100FQ030C同样是一颗采用FCQFN 4×6mm封装的双向硅基增强型氮化镓器件，耐压100V，导阻3.2mΩ。该器件具备双向导通以及超低导阻特性。适合BMS电池保护系统、双向转换器中的高侧负载开关、供电系统的开关电源等场景应用。

英诺赛科INV120EQ035A

英诺赛科INV100EQ030C是一颗双向硅基增强型氮化镓器件，采用En-FCQFN 4×6mm封装，耐压120V，导阻3.5mΩ。该器件具备双向导通以及超低导阻特性。适合BMS电池保护系统、双向转换器中的高侧负载开关、供电系统的开关电源等场景应用。

充电头网总结

英诺赛科凭借前瞻性视野率先布局低压GaN器件领域。自2022年推出开创性的VGaN产品以来，其产品家族不断丰富，如今已涵盖30~120V低压平台，每一款都能够各自适用场景中大放异彩，从手机快充到户外电源BMS系统等，皆有适合VGaN应用的产品类型。

英诺赛科是全球领先的第三代半导体高新技术企业，致力于硅基氮化镓 (GaN-on-Si) 的研发与制造。公司拥有全球最大规模的8英寸硅基氮化镓晶圆生产基地，产品设计及性能处于国际先进水平。公司氮化镓产品用于各种低中高压应用场景，产品研发范围覆盖15V至1200V，涵盖晶圆、分立器件、IC、模组，并为客户提供全氮化镓解决方案。成立至今，英诺赛科拥有近700项专利及专利申请，产品可广泛应用于消费电子、可再生能源及工业应用、汽车电子及数据中心等前沿领域。